2SK1215IGETL-E
N沟道,电流:30mA,耐压:20V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- 2SK1215IGETL-E
- 商品编号
- C3288053
- 商品封装
- CMPAK-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 100mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@10uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 2.5pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.03pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.6pF |
商品概述
适用于电子应用的700 W LDMOS功率晶体管，频率范围为960 MHz至1215 MHz。
商品特性
-高效率-出色的耐用性-专为电子频段运行设计-出色的热稳定性-易于进行功率控制-集成双面ESD保护,实现出色的关态隔离-脉冲格式灵活性高-内部匹配,使用方便
应用领域
- 频率范围为960 MHz至1215 MHz的电子发射机应用
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