BLF175
高频/甚高频功率MOS晶体管,电流:4A,耐压:125V
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- 商品型号
- BLF175
- 商品编号
- C3288061
- 商品封装
- CRFM-4
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 125V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 68W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@10mA | |
| 输入电容(Ciss) | 130pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.7pF | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 36pF |
商品概述
将先进的30伏P沟道Trench II工艺与±25伏Vgs（绝对最大栅极额定值）相结合，打造出具有极低导通电阻rDS(on)的电池保护MOSFET。该MOSFET还在封装技术上取得了突破，使器件兼具出色的热传导特性、高电流处理能力、超薄封装、低栅极电荷和低导通电阻rDS(on)等优点。
商品特性
- -12.5 A，-30 V。在VGS = -10 V时，rDS(on) = 10.5 mΩ
- 在VGS = -4.5 V时，rDS(on) = 16.5 mΩ
- 仅占用14平方毫米的PCB面积，仅为SO - 8封装面积的42%
- 超薄封装：安装到PCB上时高度小于0.8毫米
- 3.5×4平方毫米的占位面积
- 高功率和高电流处理能力
应用领域
- 电池管理
- 负载开关
- 电池保护