BLF175
高频/甚高频功率MOS晶体管,电流:4A,耐压:125V
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- 商品型号
- BLF175
- 商品编号
- C3288061
- 商品封装
- CRFM-4
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 125V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 68W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 130pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.7pF | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 36pF |
商品概述
硅N沟道增强型垂直D-MOS晶体管,专为HF/VHF频段的大信号放大器应用而设计。 该晶体管采用带陶瓷帽的4引脚SOT123A翼形封装,所有引脚与翼形散热片绝缘。 提供显示栅源电压(VGS)信息的标记代码,适用于配对应用。
商品特性
-高功率增益-低互调失真-易于功率控制-良好的热稳定性-可承受全负载失配-镀金金属化确保出色的可靠性。
应用领域
- 电池管理
- 负载开关
- 电池保护