CMSBN6601-HF
双N沟道,电流:13A,耐压:20V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- Comchip(典琦)
- 商品型号
- CMSBN6601-HF
- 商品编号
- C3288065
- 商品封装
- SMD-6P
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 900pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
一款450 W LDMOS射频功率晶体管，适用于广播Doherty、AB类发射机及工业应用。该器件出色的耐用性使其非常适合400 MHz至860 MHz频率范围内的数字和模拟发射机应用。
商品特性
- 具备静电放电(ESD)保护功能。
- 该器件采用共漏极配置,适用于作为单向或双向负载开关。
应用领域
- UHF频段广播发射机应用
- 数字和模拟广播
- 工业、科学和医疗应用
- 适用于400 MHz至860 MHz频率范围