IRFS59N10DTRR
N沟道,电流:59A,耐压:100V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRFS59N10DTRR
- 商品编号
- C3288077
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 59A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 200W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 114nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.45nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 740pF |
商品概述
这款MOSFET旨在替代同步DC-DC电源中的单个MOSFET和并联肖特基二极管。FDZ7064AS将30V PowerTrench同步场效应晶体管工艺与先进的BGA封装相结合，最大限度地减少了PCB空间和导通电阻RDS(ON)。这款BGA同步场效应晶体管在封装和功率MOSFET集成方面取得了突破性进展，使该器件兼具出色的热传导特性、高电流处理能力、超薄封装、低栅极电荷、超低反向恢复电荷和低导通电阻RDS(ON)等优点。
商品特性
- 低栅极-漏极电荷,降低开关损耗
- 全面表征电容,包括有效输出电容(COSS),简化设计
- 全面表征雪崩电压和电流
应用领域
- 高频DC-DC转换器
- 半桥和全桥DC-DC转换器
- 全桥逆变器