IRFW530ATM
N沟道,电流:14A,耐压:100V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- IRFW530ATM
- 商品编号
- C3288102
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.86克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 790pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 72pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 175pF |
商品概述
适用于基站应用的10 W LDMOS功率晶体管，频率范围从高频到1000 MHz。
商品特性
- 在26 V电源电压和85 mA IDQ下的典型双音性能
- 输出功率 = 10 W（峰值包络功率）
- 增益 = 18.5 dB
- 效率 = 40%
- 互调失真 = -31 dBc
- 易于功率控制
- 出色的耐用性
- 高功率增益
- 出色的热稳定性
- 专为宽带运行设计（高频至1000 MHz）
- 宽带运行无需内部匹配
- SMD封装
应用领域
- 用于800至1000 MHz频率范围的GSM、EDGE和CDMA基站以及多载波应用的射频功率放大器
- 广播驱动器