IRFW530ATM
N沟道,电流:14A,耐压:100V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- IRFW530ATM
- 商品编号
- C3288102
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.86克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 790pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 72pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 175pF |
商品概述
适用于基站应用的10 W LDMOS功率晶体管，频率范围从高频到1000 MHz。
商品特性
- 雪崩耐用技术
- 耐用栅氧化层技术
- 更低的输入电容
- 优化的栅极电荷
- 扩展的安全工作区
- 175°C工作温度
- 更低的漏电流:10 μA(最大值)@ VDS = 100V
- 更低的RDS(ON):0.092 Ω(典型值)
应用领域
- 用于800至1000 MHz频率范围的GSM、EDGE和CDMA基站以及多载波应用的射频功率放大器
- 广播驱动器