SIHB35N60E-GE3
N沟道MOSFET,电流:32A,耐压:600V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHB35N60E-GE3
- 商品编号
- C3288115
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.995克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 94mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 132nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.76nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 改善了栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性
- 全面表征了电容和雪崩安全工作区
- 增强了体二极管的 dV/dt 和 dI/dt 能力
- 无铅
应用领域
- 开关电源（SMPS）中的高效同步整流
- 不间断电源
- 高速功率开关
- 硬开关和高频电路