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SIHB35N60EF-GE3
N沟道,电流:35A,耐压:600V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHB35N60EF-GE3
- 商品编号
- C3288145
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 97mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 134nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.568nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 113pF |
商品概述
该器件是采用第二代MDmesh技术开发的N沟道功率MOSFET。这种创新型功率MOSFET将垂直结构与条形布局相结合，实现了极低的导通电阻和栅极电荷。因此，它适用于要求极高的高效转换器。
商品特性
- 特定导通电阻(mΩ-cm2)降低25%
- 低品质因数(FOM)Ron × Q9
- 低输入电容(Ciss)
- 降低开关和传导损耗
- 超低栅极电荷(Q9)
- 雪崩能量额定(UIS)
应用领域
-服务器和电信电源-开关模式电源(SMPS)-功率因数校正电源(PFC)-照明-高强度气体放电灯(HID)-荧光镇流器照明-工业领域-焊接-感应加热-电机驱动-电池充电器-可再生能源-太阳能(光伏逆变器)