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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FQB5P10TM

1个P沟道 耐压:100V 电流:4.5A

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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FQB5P10TM
商品编号
C3288166
商品封装
D2PAK(TO-263)​
包装方式
编带
商品毛重
1.845克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)4.5A
导通电阻(RDS(on))1.05Ω@10V
耗散功率(Pd)3.75W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)8.2nC@10V
输入电容(Ciss)250pF
反向传输电容(Crss)25pF
工作温度-55℃~+175℃
类型P沟道
输出电容(Coss)90pF

商品特性

  • 类型:在栅源电压VGS = 10 V、漏极电流ID = 80 A时,导通电阻rDS(on) = 2.3 mΩ
  • 类型:在栅源电压VGS = 10 V时,栅极电荷Qg(10) = 181 nC
  • 低米勒电荷
  • 低反向恢复电荷Qrr体二极管
  • 非钳位感性开关(UIS)能力(单脉冲和重复脉冲)
  • 符合AEC Q101标准
  • 符合RoHS标准

应用领域

  • 汽车发动机控制
  • 动力总成管理
  • 电磁阀和电机驱动器
  • 电子转向
  • 集成启动器/交流发电机
  • 分布式电源架构和电压调节模块(VRM)
  • 12V系统的初级开关

数据手册PDF