SIHFZ48RS-GE3
N沟道 MOSFET,电流:50A,耐压:60V
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHFZ48RS-GE3
- 商品编号
- C3288169
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 190W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
CoolMOS™ C7是高压功率MOSFET的一项革命性技术，依据超结（SJ）原理设计。 600V CoolMOS™ C7系列融合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与卓越创新。 600V C7是首款导通电阻RDS(on)与芯片面积A的乘积低于1欧姆·平方毫米的技术。
商品特性
- 先进的工艺技术
- 动态dV/dt
- 175°C工作温度
- 快速开关
- 全雪崩额定
- 可直接替代IRFZ48、SiHFZ48用于线性/音频应用
应用领域
- 用于高功率/高性能开关电源（SMPS）的PFC级和PWM级（TTF、LLC），如计算机、服务器、电信、UPS和太阳能领域。
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