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SQM60030E_GE3
汽车级N沟道80V MOSFET,电流:120A,耐压:80V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQM60030E_GE3
- 商品编号
- C3288179
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 165nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 12nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 400pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 4.5nF |
商品特性
- 超低导通电阻
- rDS(ON) = 0.014 Ω，vGS = 10 V
- 仿真模型
- 温度补偿的PSPICE和SABER电气模型
- Spice和Saber热阻抗模型
- 峰值电流与脉冲宽度曲线
- UIS额定曲线
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