FQB12N60CTM
1个N沟道 耐压:600V 电流:12A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQB12N60CTM
- 商品编号
- C3288182
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 650mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 225W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.29nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 28pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 235pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的PowerTrench工艺制造，该工艺经过优化，可在保持卓越开关性能的同时，将导通电阻降至最低。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 100 A条件下，RDS(on) = 3.8 mΩ（典型值）
- 开关速度快
- 栅极电荷低，QG = 54 nC（典型值）
- 采用高性能沟槽技术，实现极低的RDS(on)
- 具备高功率和大电流处理能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- ATX/服务器/电信电源的同步整流-电池保护电路-电机驱动和不间断电源-微型太阳能逆变器