SIHB21N65EF-GE3
N沟道 MOSFET,电流:13A,耐压:650V
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHB21N65EF-GE3
- 商品编号
- C3288183
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.995克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 21A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 208W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.322nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 采用E系列技术的快速体二极管MOSFET
- 降低反向恢复时间（trr）、反向恢复电荷（Qrr）和反向恢复峰值电流（IRRM）
- 低品质因数（FOM）导通电阻（Ron）×栅极电荷（Qg）
- 低输入电容（Ciss）
- 因Qrr降低而实现低开关损耗
- 超低栅极电荷（Qg）
- 具有雪崩能量额定值（UIS）
应用领域
- 电信
- 服务器和电信电源
- 照明
- 高强度气体放电灯（HID）
- 荧光灯镇流器照明
- 消费电子和计算机
- ATX电源
- 工业领域
- 焊接
- 电池充电器
- 可再生能源
- 太阳能（光伏逆变器）
- 开关模式电源（SMPS）
- 采用以下拓扑结构的应用
- LCC
- 移相桥（ZVS）
- 三电平逆变器
- 交直流桥
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