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IRF9520STRLPBF

P沟道 MOSFET,电流:-6.8A,耐压:-100V

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品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: IRF9520STRLPBF
商品编号: C3288168
商品封装: D2PAK(TO-263)
包装方式: 编带
商品毛重: 1.845克(g)

商品参数

商品概述

这些N沟道功率MOSFET采用创新的UltraFET工艺制造。这种先进的工艺技术实现了单位硅面积尽可能低的导通电阻，从而带来出色的性能。该器件能够在雪崩模式下承受高能量，且二极管具有极短的反向恢复时间和低存储电荷。它专为对电源效率要求较高的应用而设计，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关，以及便携式和电池供电产品的电源管理。

商品特性

75A，55V
仿真模型
温度补偿的PSPICE和SABER模型
可在网上获取热阻PSPICE和SABER模型
峰值电流与脉冲宽度曲线
单脉冲雪崩耐量（UIS）额定曲线
相关文献

应用领域

开关稳压器
开关转换器
电机驱动器
继电器驱动器
低压总线开关
便携式和电池供电产品的电源管理

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	100V
	连续漏极电流(Id)	6.8A
	导通电阻(RDS(on))	600mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	60W
	阈值电压(Vgs(th))	4V@250uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	18nC@10V
	输入电容(Ciss)	390pF
	反向传输电容(Crss)	45pF
	工作温度	-55℃~+175℃
	类型	P沟道
	输出电容(Coss)	170pF