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IRF830STRLPBF
1个N沟道 耐压:500V 电流:4.5A
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- 描述
- 第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。D2PAK (TO-263) 是一种表面贴装功率封装，能够容纳高达HEX-4的芯片尺寸。它在任何现有的表面贴装封装中提供了最高的功率能力和尽可能低的导通电阻。由于其较低的内部连接电阻，D2PAK (TO-263) 适用于大电流应用，并且在典型的表面贴装应用中可以耗散高达2.0W的功率。
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRF830STRLPBF
- 商品编号
- C3288152
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.09925克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 74W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 610pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 68pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
商品概述
这款MOSFET旨在替代同步DC-DC电源中的单个MOSFET和并联肖特基二极管。这款30V MOSFET旨在最大限度地提高电源转换效率，具有低RDS(ON)和低栅极电荷。FDP7030BLS采用单片SyncFET技术集成了肖特基二极管。FDP7030BLS作为同步整流器中的低端开关时的性能，与FDP7030BL与肖特基二极管并联时的性能无异。
商品特性
- 56 A、30 V：在VGS = 10 V时，RDS(ON) = 10.5 mΩ
- 在VGS = 4.5 V时，RDS(ON) = 16.5 mΩ
- 集成SyncFET肖特基体二极管
- 低栅极电荷（典型值为15nC）
- 高性能沟槽技术，实现极低的RDS(ON)和快速开关
- 高功率和电流处理能力