FDB7030BLS
30V N沟道同步整流MOSFET,电流:56A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDB7030BLS
- 商品编号
- C3288123
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 56A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 65W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.708nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 134pF | |
| 工作温度 | -65℃~+100℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款MOSFET旨在替代同步DC-DC电源中的单个MOSFET和并联肖特基二极管。这款30V MOSFET旨在最大限度地提高电源转换效率,具有低RDS(ON)和低栅极电荷。FDP7030BLS采用单片SyncFET技术集成了肖特基二极管。FDP7030BLS作为同步整流器中的低端开关时的性能,与FDP7030BL与肖特基二极管并联时的性能无异。
商品特性
- 56 A、30 V:在VGS = 10 V时,RDS(ON) = 10.5 mΩ
- 在VGS = 4.5 V时,RDS(ON) = 16.5 mΩ
- 集成SyncFET肖特基体二极管
- 低栅极电荷(典型值为15nC)
- 高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)和快速开关
- 高功率和电流处理能力
应用领域
- DC/DC 转换器