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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FQB6N40CFTM

N沟道,电流:6A,耐压:400V

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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FQB6N40CFTM
商品编号
C3288128
商品封装
D2PAK(TO-263)​
包装方式
编带
商品毛重
1.845克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)400V
连续漏极电流(Id)6A
导通电阻(RDS(on))1.1Ω@10V
耗散功率(Pd)-
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)20nC
输入电容(Ciss)625pF
反向传输电容(Crss)20pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)105pF

商品概述

该器件采用了全新的先进沟槽MOSFET技术,在保持低导通电阻的同时,具备低栅极电荷的特性。该器件针对开关应用进行了优化,可提高DC/DC转换器的整体效率,并允许在更高的开关频率下工作。

商品特性

  • 6A、400V,VGS = 10V时,RDS(on) = 1.1Ω
  • 低栅极电荷(典型值16nC)
  • 低Crss(典型值15pF)
  • 快速开关
  • 100%雪崩测试
  • 改善的dv/dt能力
  • 快速恢复体二极管(典型值70ns)

应用领域

  • DC/DC转换器

数据手册PDF