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IRF830ASTRLPBF
N沟道 MOSFET,电流:3.2A,耐压:500V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRF830ASTRLPBF
- 商品编号
- C3288132
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 74W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 620pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 93pF |
商品特性
- 低导通电阻RDS(ON)，以最小化传导损耗
- 低栅极电荷，实现快速功率开关
- 100%进行单脉冲雪崩耐量（UIS）和电阻Rq测试
- 符合欧盟RoHS指令2011/65/EU，并符合WEEE指令2002/96/EC
- 根据IEC 61249-2-21标准无卤
应用领域
- 直流-直流转换器
- 功率路由
- 电机驱动器