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SIHB21N80AE-GE3
N沟道,电流:11A,耐压:800V
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- 描述
- 特性：低品质因数 (FOM) R(on)×Q(g)。 低有效电容 (C(o(er)))。 RoHS 合规。 无卤。 降低开关和传导损耗。 雪崩能量额定 (UIS)。应用：服务器和电信电源。 开关模式电源 (SMPS)
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHB21N80AE-GE3
- 商品编号
- C3288119
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 235mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 179W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 72nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.388nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 53pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用专有的平面DMOS技术制造。 这种先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于基于半桥的高效开关模式电源和电子镇流器。
商品特性
- 低品质因数 (FOM) Ron × Qg
- 低有效电容 (Co(er))
- 降低开关和传导损耗
- 雪崩能量额定值 (UIS)
应用领域
-服务器和电信电源-开关模式电源 (SMPS)-功率因数校正电源 (PFC)-照明-高强度气体放电灯 (HID)-荧光灯镇流器照明-工业领域-焊接-感应加热-电机驱动器-电池充电器-太阳能 (光伏逆变器)