HUF76121S3ST
1个N沟道 耐压:30V 电流:47A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- HUF76121S3ST
- 商品编号
- C3288118
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 47A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 850pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 465pF |
商品概述
ISL6605是一款高频MOSFET驱动器，针对同步整流降压转换器拓扑中驱动两个N沟道功率MOSFET进行了优化。该驱动器与英特矽尔（Intersil）的HIP63xx或ISL65xx多相降压PWM控制器相结合，可为先进微处理器提供完整的单级核心电压调节器解决方案，在高开关频率下具备高效性能。 该IC由单一低压电源（5V）偏置，可最大程度降低高MOSFET栅极电容和高开关频率应用中的低驱动器开关损耗。每个驱动器能够驱动3000pF负载，传播延迟为8ns，过渡时间小于10ns。该产品通过内部自举肖特基二极管在上栅极实现自举，降低了实施成本和复杂度，并允许使用性能更高、成本更低的N沟道MOSFET。集成了自适应直通保护功能，可防止两个MOSFET同时导通。 ISL6605的下栅极驱动器典型灌电流为4A，能够在相位节点上升沿期间保持下MOSFET栅极，以防止因相位节点的高dv/dt导致的直通功率损耗。 ISL6605还具备三态PWM输入，与英特矽尔多相PWM控制器协同工作，可在输出关闭时防止输出电压出现负瞬变。此功能省去了微处理器电源系统中通常用于保护微处理器免受输出电压反向损坏的肖特基二极管。
商品特性
- 驱动两个N沟道MOSFET
- 自适应直通保护
- 0.4Ω导通电阻和4A灌电流能力
- 支持高开关频率 - 快速输出上升和下降时间 - 超低传播延迟8ns
- 用于功率级关断的三态PWM输入
- 内部自举肖特基二极管
- 低偏置电源电流（5V，30μA）
- 使能输入
- QFN封装
- 符合JEDEC PUB95 MO - 220 QFN（四方扁平无引脚）产品外形
- 接近芯片级封装尺寸；提高PCB效率并降低外形厚度
- 提供无铅加退火版本（符合RoHS标准）
应用领域
- 英特尔（Intel）和AMD微处理器的核心电压电源
- 高频薄型DC/DC转换器
- 大电流低压DC/DC转换器
- 隔离电源的同步整流