HUF75645S3ST_Q
1个N沟道 耐压:100V 电流:75A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- HUF75645S3ST_Q
- 商品编号
- C3288106
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.86克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 310W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 238nC@20V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.79nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款HEXFET功率MOSFET专为汽车应用设计，采用最新的工艺技术，实现了单位硅面积极低的导通电阻。该设计的其他特性包括175°C的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特性结合在一起，使该设计成为适用于汽车应用以及各种其他应用的高效可靠器件。
商品特性
- 超低导通电阻
- rDS(ON) = 0.014 Ω,vGS = 10 V
- 仿真模型
- 温度补偿的PSPICE和SABER电气模型
- Spice和Saber热阻抗模型
- 峰值电流与脉冲宽度曲线
- 单脉冲雪崩耐量额定曲线