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IRFW634BTMFP001实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRFW634BTMFP001

N沟道 MOSFET,电流:8.1A,耐压:250V

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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
IRFW634BTMFP001
商品编号
C3288093
商品封装
D2PAK​
包装方式
编带
商品毛重
1.86克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)250V
连续漏极电流(Id)8.1A
导通电阻(RDS(on))450mΩ@10V
耗散功率(Pd)74W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)38nC@10V
输入电容(Ciss)1nF
反向传输电容(Crss)25pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)125pF

商品特性

  • 针对逻辑电平驱动进行优化
  • 在 4.5 V VGS 下具有极低的 RDS(ON)
  • 在 4.5 V VGS 下具有出色的 R*Q
  • 改善了栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性
  • 全面表征了电容和雪崩安全工作区 (SOA)
  • 增强了体二极管的 dV/dt 和 dI/dt 能力
  • 无铅

应用领域

  • 直流电机驱动-开关电源 (SMPS) 中的高效同步整流-不间断电源-高速功率开关-硬开关和高频电路

数据手册PDF