MTB50P03HDL
1个P沟道 耐压:30V 电流:50A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- MTB50P03HDL
- 商品编号
- C3288094
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.86克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 300nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 770pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.17nF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的PowerTrench工艺制造，该工艺经过优化，可在保持卓越开关性能的同时，将导通电阻降至最低。
商品特性
- 规定雪崩能量
- 源漏二极管恢复时间与分立快速恢复二极管相当
- 二极管适用于桥接电路
- 规定高温下的 IDSS 和 VDS(on)
- 散热片短接片为制造而非剪切工艺
- 采用特殊设计的引线框架以实现最大功耗
- 提供无铅封装
应用领域
-电源-转换器-PWM电机控制-桥接电路