NTB45N06T4
N沟道, 45A, 60V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTB45N06T4
- 商品编号
- C3288091
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.86克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 106nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.725nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 160pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 485pF |
商品概述
这款功率MOSFET是基于独特的“单一特征尺寸”条形工艺的最新研发成果。由此制成的晶体管展现出极高的封装密度，具备低导通电阻、坚固的雪崩特性，且对准步骤要求较低，因此具有出色的制造可重复性。
商品特性
-更高的额定电流-更低的导通电阻RDS(ON)-更低的导通电压VDS(ON)-更低的电容-更低的总栅极电荷-更严格的VSD规格-更低的二极管反向恢复时间-更低的反向恢复存储电荷-提供无铅封装
应用领域
-电源-转换器-动力电机控制-桥接电路