IRFW520ATM
N-通道,电流:9.2A,耐压:100V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- IRFW520ATM
- 商品编号
- C3288088
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.86克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 480pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 110pF |
商品概述
硅N沟道增强型垂直D-MOS晶体管，专为HF/VHF频段的大信号放大器应用而设计。 该晶体管采用带陶瓷帽的4引脚SOT123A翼形封装，所有引脚与翼形散热片绝缘。 提供显示栅源电压（VGS）信息的标记代码，适用于配对应用。
商品特性
~~- 高功率增益-低互调失真-易于功率控制-良好的热稳定性-可承受全负载失配-镀金金属化确保出色的可靠性。