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IRFS5615TRLPBF
N沟道,电流:33A,耐压:150V
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRFS5615TRLPBF
- 商品编号
- C3288089
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 33A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 144W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.75nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 155pF |
商品特性
- 针对D类音频放大器应用优化关键参数
- 低 RDSON,提高效率
- 低 QG 和 QSW,改善THD并提高效率
- 低 QRR,改善THD并降低EMI
- 175°C工作结温,增强耐用性
- 在半桥配置放大器中,每通道可向4Ω负载输出高达300W的功率