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AUIRF6218STRL
P沟道 MOSFET,电流:-27A,耐压:-150V
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- AUIRF6218STRL
- 商品编号
- C3288075
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 27A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.21nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 89pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
FDZ299P将先进的2.5V特定PowerTrench工艺与先进的BGA封装相结合，最大限度地减少了PCB空间和RDS(ON)。这款BGA MOSFET体现了封装技术的突破，使器件兼具出色的热传递特性、高电流处理能力、超薄封装、低栅极电荷和低RDS(ON)等优点。
商品特性
- 4.6 A，-20 V；VGS = -4.5 V时，RDS(ON) = 55 mΩ
- VGS = -2.5 V时，RDS(ON) = 80 mΩ
- 仅占用2.25 mm²的PCB面积，不到SSOT - 6面积的50%
- 超薄封装：安装到PCB上时高度小于0.80 mm
- 出色的热传递特性：比SSOT - 6好4倍
- 超低的Qg × RDS(ON)品质因数
- 高功率和高电流处理能力。
应用领域
- 电池管理
- 负载开关
- 电池保护