CPH3350-TL-H
P沟道,电流:-3A,耐压:-20V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- CPH3350-TL-H
- 商品编号
- C3288054
- 商品封装
- CPH-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 83mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 375pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 58pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 77pF |
商品概述
这款场效应晶体管（FET）具备对结温进行感应并实现过温关断的能力。该FET在栅极区域内置了过温关断电路。当出现如功耗过大、过流等导致结温过高的情况时，此电路会关断栅极电压。
商品特性
- 逻辑电平操作（-4至 -6 V栅极驱动）
- 对关断电路具有高耐受性
- 内置过温关断电路
- 锁存型关断操作（需0电压恢复）