CPH3355-TL-H
单P沟道,电流:-2.5A,耐压:-30V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- CPH3355-TL-H
- 商品编号
- C3288055
- 商品封装
- CPH-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 156mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 172pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 36pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 51pF |
商品概述
这款高压MOSFET采用先进的终端方案，在不随时间降低性能的前提下，增强了耐压能力。此外，该MOSFET设计用于承受雪崩和换向模式下的高能量。全新的节能设计还提供了具有快速恢复时间的漏源二极管。这些器件专为电源、转换器和PWM电机控制中的高压、高速开关应用而设计，特别适用于对二极管速度和换向安全工作区要求严苛的桥式电路，并且能为意外的电压瞬变提供额外的安全裕量。
商品特性
- 坚固的高压终端
- 规定了雪崩能量
- 源漏二极管恢复时间与分立快速恢复二极管相当
- 二极管适用于桥式电路
- 规定了高温下的漏源泄漏电流（IDSS）和漏源导通电压（VDS(on)）
应用领域
- 电源
- 转换器
- PWM电机控制
- 桥式电路