SPB02N60C3
N沟道,电流:1.8A,耐压:600V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- SPB02N60C3
- 商品编号
- C3283118
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V@80uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 200pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90pF |
商品概述
2SJ330是一款P沟道MOS场效应晶体管，专为螺线管、电机和灯驱动器设计。
商品特性
- 低导通电阻
- 典型RDS(on) = 40mΩ（VGS = -10V，ID = -10A）
- 典型RDS(on) = 70mΩ（VGS = -4V，ID = -8A）
- 低输入电容Ciss，典型Ciss = 2570 pF
- 内置G-S栅极保护二极管
应用领域
- 标准应用：计算机、办公设备、通信设备、测试与测量设备、机床、工业机器人、视听设备及其他消费产品
- 特殊应用：汽车及运输设备、交通控制系统、防灾系统、安防系统