2SK1626-E
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 450V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 640pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
商品特性
- 可提供4.5 V栅极驱动
- 驱动电流低
- 高密度贴装
- 导通电阻低
- 典型RDS(ON) = 4.5 mΩ（VGS = 10 V时）
- 无铅
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