2SK2158A-T1B-AT
N沟道MOSFET,电流:0.1A,耐压:50V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- 2SK2158A-T1B-AT
- 商品编号
- C3283145
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50Ω@1.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 输入电容(Ciss) | 6pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 低导通电阻
- 低漏电流
- 高速开关
应用领域
- 标准应用:计算机;办公设备;通信设备;测试测量设备;视听设备;家用电子电器;机床;个人电子设备;以及工业机器人。
- 高质量应用:运输设备(汽车、火车、轮船等);交通控制系统;防灾系统;安防系统;非专门用于生命维持的安全设备;以及医疗设备。
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