NDP708AE
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 130nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 400pF | |
| 工作温度 | -65℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1nF |
商品概述
C7 GOLD系列（G7）首次将C7 GOLD CoolMOS技术的优势、4引脚开尔文源功能以及TOLL封装改进后的热性能结合在一起，为高达3kW的PFC等高电流拓扑结构提供了一种可行的表面贴装器件（SMD）解决方案。
商品特性
- 60和54A、80V,RDS(ON) = 0.022和0.025Ω。
- 规定了高温下的关键直流电气参数。
- 坚固的内部源 - 漏二极管可无需外部齐纳二极管瞬态抑制器。
- 最高结温额定值为175°C。
- 高密度单元设计(300万个/平方英寸),实现极低的RDS(ON)。
- 提供TO - 220和TO - 263(D2PAK)封装,适用于通孔和表面贴装应用。
应用领域
- 汽车
- DC/DC转换器
- PWM电机控制
- 其他电池供电电路