NDP708AE
N沟道,电流:54A,耐压:80V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NDP708AE
- 商品编号
- C3283159
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 130nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 400pF | |
| 工作温度 | -65℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1nF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺经过特别定制,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件特别适用于低压应用,如汽车、DC/DC转换器、PWM电机控制以及其他需要快速开关、低线路功率损耗和抗瞬态干扰的电池供电电路。
商品特性
- 60和54A、80V,RDS(ON) = 0.022和0.025Ω。
- 规定了高温下的关键直流电气参数。
- 坚固的内部源 - 漏二极管可无需外部齐纳二极管瞬态抑制器。
- 最高结温额定值为175°C。
- 高密度单元设计(300万个/平方英寸),实现极低的RDS(ON)。
- 提供TO - 220和TO - 263(D2PAK)封装,适用于通孔和表面贴装应用。
应用领域
- 汽车
- DC/DC转换器
- PWM电机控制
- 其他电池供电电路