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NDP708AE实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NDP708AE

N沟道,电流:54A,耐压:80V

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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NDP708AE
商品编号
C3283159
包装方式
袋装
商品毛重
0.494克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)80V
连续漏极电流(Id)60A
导通电阻(RDS(on))22mΩ@10V
耗散功率(Pd)150W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)130nC@10V
输入电容(Ciss)3.6nF
反向传输电容(Crss)400pF
工作温度-65℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)1nF

商品概述

C7 GOLD系列(G7)首次将C7 GOLD CoolMOS技术的优势、4引脚开尔文源功能以及TOLL封装改进后的热性能结合在一起,为高达3kW的PFC等高电流拓扑结构提供了一种可行的表面贴装器件(SMD)解决方案。

商品特性

  • C7 Gold在品质因数RDS(on) * Eoss和RDS(on) * Qg方面表现卓越。
  • 适用于硬开关和软开关(PFC和高性能LLC)。
  • C7 Gold技术能在最小的占位面积内实现同类最佳的RDS(on)。
  • TOLL封装内置第4引脚开尔文源配置,且源极寄生电感低(约1nH)。
  • TOLL封装符合MSL1标准,完全无铅,且引脚带有便于目视检查的凹槽。
  • TOLL SMD封装与无铅芯片贴装工艺相结合,可提高热阻Rth性能。

应用领域

  • 用于高功率/高性能开关电源(SMPS)的PFC级和PWM级(TTF、LLC),如计算机、服务器、电信、不间断电源(UPS)和太阳能领域。

数据手册PDF