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场效应管(MOSFET)
NDP708AE
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对比
NDP708AE
N沟道,电流:54A,耐压:80V
SMT
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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NDP708AE
商品编号
C3283159
包装方式
袋装
商品毛重
0.494克(g)
数据手册
商品参数
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属性
参数值
商品目录
场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)
80V
连续漏极电流(Id)
60A
导通电阻(RDS(on))
22mΩ@10V
耗散功率(Pd)
150W
阈值电压(Vgs(th))
4V@250uA
属性
参数值
栅极电荷量(Qg)
130nC@10V
输入电容(Ciss)
3.6nF
反向传输电容(Crss)
400pF
工作温度
-65℃~+175℃
类型
N沟道
输出电容(Coss)
1nF
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