3SK295ZQ-TL-E
N沟道双栅极MOSFET,电流:25mA,耐压:12V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- 3SK295ZQ-TL-E
- 商品编号
- C3283170
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 500mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.2pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.03pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.2pF |
商品特性
- 单N沟道MOSFET
- 超薄型SOT - 883 (XDFN3)封装，尺寸为1.0 x 0.6 x 0.4 mm，适用于如便携式电子产品等超薄环境
- 超小1.0 x 0.6 mm封装的低导通电阻（RDS(on)）解决方案
- 1.8 V栅极驱动
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准
应用领域
- 负载开关-高速接口-电平转换和翻译-针对超便携解决方案中的电源管理进行优化
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