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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BSC025N03MSG

耐压:30V 电流:100A

商品型号
BSC025N03MSG
商品编号
C3283214
商品封装
TDSON-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.32克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)100A
导通电阻(RDS(on))3mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)83W
阈值电压(Vgs(th))2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)98nC@10V
输入电容(Ciss)7.6nF
反向传输电容(Crss)120pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)2.1nF

商品概述

UniFET™ MOSFET是基于平面条纹和DMOS技术的高压MOSFET系列。该MOSFET经过专门设计,可降低导通电阻,提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。UniFET Ultra FRFET™ MOSFET具有卓越的体二极管反向恢复性能。其反向恢复时间(trr)小于50纳秒,反向dv/dt抗扰度为20V/纳秒,而普通平面MOSFET的这两个参数分别超过200纳秒和4.5V/纳秒。因此,在某些需要改善MOSFET体二极管性能的应用中,UniFET Ultra FRFET MOSFET可省去额外的元件并提高系统可靠性。该器件系列适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正(PFC)、平板显示(FPD)电视电源、ATX电源和电子灯镇流器。

商品特性

  • 针对5V驱动器应用(笔记本电脑、VGA、负载点电源)进行优化
  • 用于高频开关电源(SMPS)的低开关品质因数(FOMsw)
  • 经过100%雪崩测试
  • N沟道
  • 在VGS = 4.5 V时,导通电阻RDS(on)极低
  • 具有出色的栅极电荷×导通电阻RDS(on)乘积(品质因数FOM)
  • 符合JEDEC标准,适用于目标应用
  • 热阻性能优越
  • 无铅镀层;符合RoHS标准
  • 符合IEC61249-2-21标准,无卤

应用领域

-液晶/发光二极管电视-照明-不间断电源-交直流电源

数据手册PDF