UPA2713GR-E1-A
P沟道,电流:8A,耐压:30V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- UPA2713GR-E1-A
- 商品编号
- C3283250
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@4V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 270pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
μPA2811T1L是一款P沟道MOS场效应晶体管，专为便携式设备的DC/DC转换器和电源管理应用而设计。
商品特性
- 漏源电压（VDSS） - 30 V（环境温度T_A = 25°C）
- 低导通电阻
- 最大导通电阻（RDS(on)） = 15 mΩ（栅源电压VGS~~- 10 V，漏极电流ID~~- 19 A）
- 支持4.5 V栅极驱动
- 内置栅极保护二极管
- 带散热片的小型薄型表面贴装封装（8引脚HVSON）
- 无卤且符合RoHS标准
应用领域
- 标准应用:计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备和工业机器人。
- 高品质应用:运输设备(汽车、火车、轮船等)、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备以及非专门用于生命支持的医疗设备。