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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NE5550779A-T1-A

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商品型号
NE5550779A-T1-A
商品编号
C3288022
商品封装
SMD-4P​
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)38V
属性参数值
连续漏极电流(Id)2.1A
阈值电压(Vgs(th))2.25V

商品特性

  • 高输出功率:典型输出功率Pout = 38.5 dBm(VDS = 7.5 V,IDset = 140 mA,f = 460 MHz,Pin = 25 dBm)
  • 高功率附加效率:典型附加效率ηadd = 66%(VDS = 7.5 V,IDset = 140 mA,f = 460 MHz,Pin = 25 dBm)
  • 高线性增益:典型线性增益GL = 22.0 dB(VDS = 7.5 V,IDset = 140 mA,f = 460 MHz,Pin = 10 dBm)
  • 高静电放电耐受性
  • 适用于甚高频至超高频波段的AB类功率放大器。

应用领域

  • 150 MHz频段无线电系统
  • 460 MHz频段无线电系统
  • 900 MHz频段无线电系统

数据手册PDF