F411MR12W2M1B76BOMA1
4个N沟道 耐压:1.2kV 电流:100A
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- F411MR12W2M1B76BOMA1
- 商品编号
- C3288029
- 商品封装
- AG-EASY1B-2
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 4个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.3mΩ@15V,100A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.55V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 248nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.36nF@800V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| 配置 | 半桥 |
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