商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA | |
| 耗散功率(Pd) | 8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@10mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 450fF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 4pF |
商品概述
主要设计用于高达200 MHz频率范围的宽带大信号输出和驱动级。N沟道增强型MOSFET。在150 MHz、28 Vdc条件下保证性能。输出功率 = 125 W。最小增益 = 9.0 dB。效率 = 50%（最小值）。热稳定性极佳，非常适合A类工作。便于手动增益控制、自动电平控制（ALC）和调制技术的实现。在所有相位角下以30:1的电压驻波比（VSWR）对负载失配进行100%测试。低噪声系数 — 在2.0 A、150 MHz条件下典型值为3.0 dB。