BSZ0908NDXTMA1
双N沟道增强型MOSFET,电流:30A,耐压:30V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSZ0908NDXTMA1
- 商品编号
- C3283258
- 商品封装
- WISON-8
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 730pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 34pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 293pF |
商品概述
采用TrenchMOS技术、塑料封装的SiliconMAX标准电平N沟道增强型场效应晶体管（FET）。本产品专为计算机、通信、消费和工业应用而设计并通过相关认证。
商品特性
- 双N沟道OptiMOS MOSFET
- 增强型
- 逻辑电平(额定4.5V)
- 雪崩额定
- 100%无铅;符合RoHS标准
- 符合IEC61249-2-21标准的无卤要求
- 无卤
应用领域
- 开关模式电源