MTP1N50E
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 315pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 42pF |
商品概述
IRF6802SDTRPbF将最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET封装相结合，在具有MICRO - 8尺寸且高度仅为0.7 mm的封装中实现了性能提升。当遵循应用笔记AN - 1035中的制造方法和工艺时，DirectFET封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET封装支持双面散热，可在电源系统中实现最大的热传递，相比之前的最佳热阻降低了80%。 IRF6802SDTRPbF具有低栅极电阻、低电荷以及超低的封装电感，可显著降低开关损耗。较低的损耗使该产品非常适合为新一代高频运行的处理器供电的高效DC - DC转换器。IRF6802SDTRPbF针对12伏总线转换器的同步降压控制FET插座进行了优化。
商品特性
- 坚固的高压终端
- 规定雪崩能量
- 源漏二极管恢复时间与分立快速恢复二极管相当
- 二极管适用于桥式电路
- 规定高温下的 IDSS 和 VDS(on)
应用领域
- 电源
- 转换器
- PWM 电机控制
- 桥式电路