MTD4N20E1
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 430pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 80pF |
商品概述
专为频率范围高达200 MHz的宽带商业应用设计。该器件的高功率、高增益和宽带性能使适用于调频广播或电视频道频段的固态发射机成为可能。N沟道增强型MOSFET
商品特性
-规定雪崩能量-源漏二极管恢复时间与分立快速恢复二极管相当-二极管针对桥式电路应用进行了特性表征-规定高温下的IDSS和VDS(ON)
应用领域
-电源-转换器-PWM电机控制-桥式电路