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UPA606T-T1-A

N-通道MOSFET,电流:100mA,耐压:50V

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品牌名称: RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号: UPA606T-T1-A
商品编号: C3288017
商品封装: SOT-23-6
包装方式: 编带
商品毛重: 0.044克(g)

商品参数

商品概述

SUPERFET II MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。该技术旨在最大限度降低传导损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。因此，SUPERFET II MOSFET非常适用于开关电源应用，如功率因数校正（PFC）、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源和工业电源应用。SUPERFET II FRFET MOSFET优化的体二极管反向恢复性能可减少额外元件，提高系统可靠性。

商品特性

700 V @ T_J = 150°C
典型RDS(on) = 36 mΩ
超低栅极电荷（典型Q_g = 229 nC）
低有效输出电容（典型C_oss(eff.) = 631 pF）
100%雪崩测试
这些器件无铅且符合RoHS标准

应用领域

LCD/LED/PDP电视-电信/服务器电源-太阳能逆变器-交流-直流电源

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	2个N沟道
	漏源电压(Vdss)	50V
	连续漏极电流(Id)	100mA
	导通电阻(RDS(on))	30Ω@4V
	耗散功率(Pd)	300mW

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	1.8V@1uA
	栅极电荷量(Qg)	-
	输入电容(Ciss)	16pF@5V
	反向传输电容(Crss)	3pF
	工作温度	-
	类型	N沟道