SI5902BDC-T1-E3
双N沟道MOSFET,电流:4A,耐压:30V
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI5902BDC-T1-E3
- 商品编号
- C3288025
- 商品封装
- SMD-8P
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.12W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 220pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 50pF |
商品概述
超低噪声、高增益
- 中空（气腔）塑料封装
商品特性
- 超低噪声系数和高相关增益：
- 在VDS = 2 V、ID = 10 mA、f = 20 GHz条件下，典型噪声系数NF = 0.55 dB，典型增益Ga = 13.8 dB
- 在VDS = 2 V、ID = 10 mA、f = 24 GHz条件下，典型噪声系数NF = 0.80 dB，典型增益Ga = 13.9 dB
应用领域
- K波段低噪声下变频器(LNB)-多普勒传感器-微波通信系统低噪声放大器