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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 125V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 输入电容(Ciss) | 400pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | - | |
| 输出电容(Coss) | 240pF |
商品概述
主要设计用于高达 150 MHz 的线性大信号输出级
商品特性
- 卓越的高阶互调失真
- 规定 50V、30MHz 的特性
- 对所有相位角的负载失配进行 100% 测试