MRF173
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 220W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 110pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 105pF |
商品概述
专为频率范围高达200 MHz的宽带商业应用设计。该器件的高功率、高增益和宽带性能使适用于调频广播或电视频道频段的固态发射机成为可能。N沟道增强型MOSFET
商品特性
- 低热阻
- 在额定输出功率下进行了耐用性测试
- 采用氮化物钝化芯片,可靠性更高
- 低噪声系数 — 在2.0 A、150 MHz条件下典型值为1.5 dB
- 出色的热稳定性;适用于甲类工作模式
应用领域
- 宽带商业应用
- 调频广播
- 电视频道频段