商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 270W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 6V@100mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 175pF@28V | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF@28V | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这些是P沟道增强型硅栅功率场效应晶体管。它们是先进的功率MOSFET，经过设计、测试并保证在击穿雪崩工作模式下能承受特定水平的能量。所有这些功率MOSFET均适用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器以及其他高功率开关器件的驱动器等应用。高输入阻抗使这些器件可直接由集成电路驱动。
商品特性
- 11A，200V
- rDS(ON) = 0.500 Ω
- 单脉冲雪崩能量额定
- 安全工作区受功率耗散限制
- 纳秒级开关速度
- 线性传输特性
- 高输入阻抗
应用领域
- 开关稳压器-开关转换器-电机驱动器-继电器驱动器-其他高功率开关器件的驱动器