商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 770mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 137pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款先进的高压MOSFET专为在雪崩模式下承受高能量并实现高效开关而设计。这款新型高能量器件还配备了具有快速恢复时间的漏源二极管。它适用于高压、高速开关应用,如电源、PWM电机控制和其他感性负载。该器件规定了雪崩能量能力,消除了在切换感性负载的设计中的不确定性,并为意外的电压瞬变提供了额外的安全裕量。
商品特性
-规定了高温下的雪崩能量能力-内部源漏二极管设计用于替代外部齐纳瞬态抑制器——在雪崩模式下吸收高能量-源漏二极管恢复时间与分立快速恢复二极管相当
应用领域
-电源-PWM电机控制-其他感性负载