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场效应管(MOSFET)
MMFT2N25ET3
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引脚图
此图展示了型号为 MMFT2N25ET3 的引脚布局
焊盘图
此图展示了型号为 MMFT2N25ET3 的焊盘布局
温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准
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对比
MMFT2N25ET3
N沟道,电流:2.0A,耐压:250V
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
MMFT2N25ET3
商品编号
C3283221
包装方式
袋装
商品毛重
0.494克(g)
数据手册
商品参数
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属性
参数值
商品目录
场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)
250V
连续漏极电流(Id)
2A
导通电阻(RDS(on))
4Ω@10V
耗散功率(Pd)
770mW
阈值电压(Vgs(th))
4V@0.25mA
属性
参数值
栅极电荷量(Qg)
10nC@10V
输入电容(Ciss)
137pF
反向传输电容(Crss)
10pF
工作温度
-55℃~+150℃
类型
N沟道
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