2SJ687-ZK-E2-AY
P沟道,电流:-20A,耐压:20V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- 2SJ687-ZK-E2-AY
- 商品编号
- C3283242
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 36W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 57nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 760pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.07nF |
商品特性
- 适用于DC/DC转换器应用。
- 采用复合类型，在一个封装内集成了P沟道硅MOSFET（MCH3312）和肖特基势垒二极管（SBS010M），便于高密度安装。
- 4V驱动。
- 反向恢复时间短。
- 正向电压低。