2SJ172-E
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 250mΩ@4V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
采用I2PAK封装的标准电平N沟道MOSFET，工作温度可达175°C。该产品专为广泛的工业、通信和家用设备设计并通过相关认证。
商品特性
- 低导通电阻
- 高速开关
- 低驱动电流
- 4 V栅极驱动器件
- 可由5 V电源驱动
- 适用于电机驱动、DC-DC转换器、电源开关和螺线管驱动
应用领域
- 高速电源开关