IPB049N06L3G
N沟道,电流:80A,耐压:60V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB049N06L3G
- 商品编号
- C3283233
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 115W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@58uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 47pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 1.5nF |
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