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IPB049N06L3G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPB049N06L3G

N沟道,电流:80A,耐压:60V

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商品型号
IPB049N06L3G
商品编号
C3283233
商品封装
TO-263-3​
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)80A
导通电阻(RDS(on))4.7mΩ@10V
耗散功率(Pd)115W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.2V@58uA
栅极电荷量(Qg)50nC@4.5V
输入电容(Ciss)8.4nF
反向传输电容(Crss)47pF
工作温度-55℃~+175℃
输出电容(Coss)1.5nF

商品特性

  • 适用于高频开关和同步整流
  • 针对 DC/DC 转换器优化的技术
  • 出色的栅极电荷与 RDS(on) 乘积(品质因数 FOM)
  • N 沟道、逻辑电平
  • 100% 雪崩测试
  • 无铅镀层;符合 RoHS 标准
  • 针对目标应用符合 JEDEC 标准
  • 根据 IEC61249-2-21 标准无卤

应用领域

  • 计算机-办公设备-通信设备-测试与测量设备-视听设备-家用电子电器-机床-个人电子设备-工业机器人-运输设备(汽车、火车、轮船等)-交通控制系统-防灾系统-防盗系统-安全设备-非专门用于生命维持的医疗设备

数据手册PDF